Александр Леонидович Асеев (род. 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ) — российский ученый, доктор физико-математических наук, профессор.
Академик РАН (2006; член-корреспондент (2000). Председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 года), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998-2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Он является пятым по счёту руководителем крупнейшей региональной структуры Российской академии наук. До него Сибирское отделение, которое охватывает все академические научные учреждения от Тюмени до Якутска и Читы, возглавляли такие выдающиеся учёные, как академики М. А. Лаврентьев, Г. И. Марчук, В. А. Коптюг, Н. Л. Добрецов, в разное время ставшие сибиряками по разным обстоятельствам. И лишь А. Л. Асеев – коренной сибиряк, уроженец Улан-Удэ, после школы поступил в Новосибирский государственный университет и после его окончания так и остался здесь, потому что судьба распорядилась быть ему физиком, да ещё и очень хорошим физиком, который после защиты сначала кандидатской, а потом и докторской диссертации по исследованию структурной перестройки кристаллов кремния и германия вырос в крупного учёного с мировым именем.
Будущего академика с детства окружала атмосфера увлечённости техникой.
Его дед был известным на всё Забайкалье железнодорожным машинистом, лауреатом Сталинской премии и всё свободное время отдавал внуку, прививая ему любовь к научно-популярной литературе. В начале 60-х годов прошлого века мальчишек всего мира, и России в том числе, охватила страсть к радиолюбительству, вызванная рождением нового поколения радиотехники – на полупроводниках, и Александр Асеев стал одним из первых юных конструкторов, кто удостоился специальной награды за транзисторный радиоприёмник величиной со спичечный коробок.
Но после поступления в НГУ он окончательно понял, что есть в мире нечто ещё более увлекательное, чем конструирование, -- это наука, исследующая физические процессы полупроводников. И с тех пор его путь в науке пролегает через лаборатории одного из самых «приближённых» к передовой научно-технической мысли научных учреждений РАН – Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова. Здесь он стал заведующим лабораторией, заместителем директора, а потом в 1998 году и директором института.
Так уж совпало, что именно Александр Асеев одним из первых в институте и в Сибирском отделении в труднейшие для науки 90-е годы научился зарабатывать деньги на договорных работах, в первую очередь международных, потому что в тот период научно-техническая мысль России была ослаблена известными обстоятельствами. Но вскоре и в возрождающейся отечественной экономике появился спрос на новейшие технологии и материалы, и Институт физики полупроводников СО РАН волею обстоятельств и таких людей, как академик Асеев, стал одним из главенствующих научных учреждений в разработке нанотехнологий. А избрание Александра Леонидовича три с половиной года назад на пост председателя СО РАН и вице-президента РАН было во многом предопределено самой могущественной властью не только на Земле – властью времени.
Александр Леонидович Асеев стал действительным членом Российской академии наук в 2006 году, всего за два года до своего избрания в руководство СО РАН И РАН. И этот факт говорит о многом. Вновь наступала пора, когда российская наука стала востребована как важнейший источник энергии и новых знаний для развивающейся российской экономики и всего общества. И как никогда в последние десятилетия стране стали вновь нужны настоящие профессионалы.
В справочниках и интернете вы найдёте скупые строки о том, что академик А. Л. Асеев -- специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, что под его руководством в ИФП СО РАН создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. Что здесь выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии. Что академиком Асеевым с сотрудниками разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств, что Александр Леонидович ведет работы по созданию нанотранзисторов (помните его юношеские увлечения?), по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии и т.д. и т.п.
Всё это так, но параллельно академик Асеев ведёт большую организаторскую работу по перестройке всей системы научно-исследовательской работы, приближая её ещё более к нуждам промышленного производства, к укреплению обороноспособности нашей страны. Как и завещал выдающий основатель Сибирского отделения Академии наук СССР академик М. А. Лаврентьев.
Алексей НАДТОЧИЙ
Опубликовано: журнал «Новосибирск – одна семья»
Добавить комментарий